單級共射阻容耦合放大電路如圖Z0227所示。在圖Z0235中，Cie（Cbe）、Cc（Cbc）。分別表示晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的等效電容，一般為幾pF～幾百pF。
　　　　　　　　　　
　　　　　　　　
　　　　　　　
    一、中頻段
    中頻段放大電路的微變等效電路如圖Z0228所示。輸入耦合電容C1、輸出耦合電容C2及射極旁路電容Ce因其容量較大，容抗較小，在中頻段可視為短路；而輸入、輸出回路的分布電容Ci、Co及電容Cie 、Cc 容量較小，容抗較大，在中頻段可視為開路。由此可得出中頻段放大電路的電壓放大倍數(shù)為：
      
它表明，在中頻范圍內(nèi)，Au和φ均為常數(shù)，與頻率無關(guān)。
    二、低頻段
    在低頻范圍內(nèi)，C1、C2 及Ce容抗增大，不能忽略。Ci、Co及電容Cie 、Cc 的容抗很大仍可視為開路。此時(shí)的微變等效電路如圖 Z0229、Z0230、Z0231、Z0232所示。
    由圖可知，隨著頻率的不斷降低，C1、C2 及Ce 的容抗增大，使減小，減小，導(dǎo)致輸出減小，從而使放大倍數(shù)降低。此外，頻率越低，C1、C2 及Ce造成的附加相移越小，當(dāng)f→0時(shí)，附加相移接近 -90°。
    在實(shí)用電路中，常選取C1＝C2（5～20）μF，Ce ＝（50～200）μF，基本上可滿足一般低頻放大電路對下限頻率的要求，消除低頻時(shí)的失真。
    三、高頻段
    放大電路在高頻段時(shí)也可惜助h參數(shù)微變等效電路來分析，其徽變等效電路如圖Z0233、Z0234所示。C1、C2 及Ce的容抗較小均可視為短路，而Ci、Co及電容Cie、Ce的容抗也較小，其分流作用不可忽略。且這種影響隨著頻率的增高更加明顯。同時(shí)，它們引起的附加相移也隨著頻率的增高而增大，當(dāng)f → ∞時(shí)，附加相移接近 - 270°。
    單級阻容耦合放大電路總的頻率特性曲線如圖Z0236所示。
    因?yàn)楣β逝c電壓的平方成正比，所以在工程計(jì)算上規(guī)定，電壓放大倍數(shù)的幅值下降到中頻幅值Auo的0.707倍時(shí)所對應(yīng)的頻率稱為半功率點(diǎn)頻率（電壓放大倍數(shù)下降到Auo 的0.707 倍時(shí)，相當(dāng)于功率卞降一半。在幅頻特性曲線上，低頻端和高頻端各有一個(gè)半功率點(diǎn)，其相應(yīng)的半功率點(diǎn)頻率稱為下限頻率fL和上限頻率fH 。半功率點(diǎn)的電壓放大倍數(shù)
      
用分貝表示
    可見，半功率點(diǎn)的電壓放大倍數(shù)比中頻段 的電壓放大倍數(shù)Auo衰減了3dB。我們定義fH與fL之間的頻率范圍為放大電路的通頻帶并以B表示，即
      B = f H－ f L GS0232
    在通頻帶內(nèi)，由于輸出功率的減少不會(huì)超過中頻區(qū)的一半，附加相移不超過45°，因而人耳感覺不到明顯變化，這樣就可以認(rèn)為在通頻帶B內(nèi)放大電路基本上沒有頻率失真。
    通頻帶內(nèi)的區(qū)域稱為中頻區(qū)；頻率低于下限頻率 f L 的頻域稱為低頻區(qū)，頻率高于上限頻率f H 的頻域叫高頻區(qū)。
    在分析放大電路的頻率特性時(shí)，為了在有限的數(shù)軸上，描繪較大范圍的頻率變化對放大倍數(shù)的影響，通常采用對數(shù)頻率特性曲線。這時(shí)橫軸采用lgf，縱軸采用分貝，即201g | Au |（幅頻特性），或φ的數(shù)值（相頻特性）。對數(shù)頻率特性又叫波特圖。
    放大倍數(shù)用分貝表示的優(yōu)點(diǎn)是：可避免放大倍數(shù)的龐大數(shù)字并可以把放大倍數(shù)的乘法運(yùn)算簡化為加法運(yùn)算；對數(shù)的單位比較符合聽覺器官對聲音感覺的特性；便于繪制頻率特性的對數(shù)坐標(biāo)圖。