根據(jù)閉奧薩伐爾定律，單個(gè)電流元IdL產(chǎn)生的磁感應(yīng)線是以 dＬ方向韋軸線的圓,如圖，圓周上元磁場(chǎng)的數(shù)值處處相等：

　　　　　　　

在磁感應(yīng)線穿入處取一面元dS1,穿出處取另一面元dS2,IdL產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過兩面元的磁感應(yīng)通量分別為:
 

由于磁感應(yīng)管呈嚴(yán)格的圓環(huán)狀，其正截面處處相等，故，
所以，即 。所以高斯定理對(duì)單個(gè)電流元成立。

根據(jù)磁場(chǎng)疊加原理，任意載流回路產(chǎn)生的總磁場(chǎng)B是各電流元產(chǎn)生的元磁場(chǎng)dB的矢量和, 從而通過某一面元dS的總磁通量是各電流元產(chǎn)生元磁通的代數(shù)和。至此，磁場(chǎng)的"高斯定理"得到了完全證明。