(1)湯姆孫測電子的何質比的方法:
如圖,玻璃管內抽成真空,陽極A與陰極K之間維持數千伏特的電壓,靠管內殘存氣體的離子在陰極引起的二次發射產生電子流。陽極A和第二個金屬屏A'的中央各有一個小孔,在K、A之間被加速了的電子流,只有很窄一束能

夠通過這個孔。如果沒有玻璃管中部的那些裝置,狹窄的電子束依靠慣性前進,直射在玻璃管另一端的熒光屏S的中央,形成一個光點O。 C、D為電容器的兩極板,在它們中間可產生一個豎直方向的電場。在圓形區域里,可由管外的電磁鐵產生一方向垂直紙面的磁場。適當調節電場與磁場的強度,可使它們作用在電子上的力達到平衡即 eE=evB,或v=E/B。 由E和B的數值可以測出電子流的速度v。再將電場切斷,電子束在磁場區內將沿圓弧運動,R=mv/qB,因而電子的何質比為 ,半徑R可以直接從儀器上來確定。
(2)磁聚焦法:
如圖,用磁聚焦法測荷質比裝置的一種。真空玻璃管中裝有熱陰極K和有小孔的陽極A,在A、K之間加電壓ΔU時,由陽極小孔射出的電子的動能為 ,從而其速率為 。在電容器C上加一不大的橫向交變電場,使不同時刻通過

這里的電子發生不同程度的偏轉。在電容器C和熒光屏S之間加一均勻縱向磁場,如上所述,電子從C出來后將沿螺旋線運動,到 的地方聚焦。適當的調節B的大小,可使電子流的焦點剛好落在熒光屏S上。這時,h就等于C到S間的距離l,于是從上述h與v的表達式中消去v即得 ,上式右端各量都可以測出,由此即可確定e/m。