雪崩光電二極管,雪崩光電二極管是什么意思

　英文縮寫: APD (Avalanche Photo Diode)
　　分　類: 電信設(shè)備
　　解　釋: 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后，射入的光被P-N結(jié)吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產(chǎn)生“雪崩”（即光電流成倍地激增）的現(xiàn)象，因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。
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　　工作原理及作用補充說明：
　　雪崩光電二極管是一種p-n結(jié)型的光檢測二極管，其中利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。其基本結(jié)構(gòu)常常采用容易產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)的Read二極管結(jié)構(gòu)（即N+PIP+型結(jié)構(gòu)，P+一面接收光），工作時加較大的反向偏壓，使得其達到雪崩倍增狀態(tài)；它的光吸收區(qū)與倍增區(qū)基本一致（是存在有高電場的P區(qū)和I區(qū)）。
　　在APD制造上，需要在器件表面加設(shè)保護環(huán)，以提高反向耐壓性能；半導(dǎo)體材料以Si為優(yōu)（廣泛用于檢測0.9mm以下的光），但在檢測1mm以上的長波長光時則常用Ge和InGaAs（噪音和暗電流較大）。這種APD的缺點就是存在有隧道電流倍增的過程，這將產(chǎn)生較大的散粒噪音（降低p區(qū)摻雜，可減小隧道電流，但雪崩電壓將要提高）。一種改進的結(jié)構(gòu)是所謂SAM-APD：倍增區(qū)用較寬禁帶寬度的材料（使得不吸收光），光吸收區(qū)用較窄禁帶寬度的材料；這里由于采用了異質(zhì)結(jié)，即可在不影響光吸收區(qū)的情況下來降低倍增區(qū)的摻雜濃度，使得其隧道電流得以減小（如果是突變異質(zhì)結(jié)，因為ΔEv的存在，將使光生空穴有所積累而影響到器件的響應(yīng)速度，這時可在突變異質(zhì)結(jié)的中間插入一層緩變層來減小ΔEv的影響）。