MOSFET在導通時漏源之間的電阻并不為零，當有漏極電流I。流過時就會產生導通損耗Pon。當導通損耗Pon超過管子的PDMAx時MOSFET就會因功耗過大而損壞。

　　由于開關電源和DC-DC變換器的電流波形接近于矩形，所以在計算管子的導通損耗Pon時必須先將漏極電流的值轉換成有效值IDRMS。
　　
　　2．消耗功率PD
　　
　　最大消耗功率PDmax是指Tc-25℃時MOSFET內部允許消耗的功率。如果消耗的功率大干該值，則會出現(xiàn)結溫超過150ac，MOSFET會因過熱而燒毀。

　　最大消耗功率PDmax隨管殼溫度不同而變化。IRFP31N50LP6F的PDmax在Tc=250C時為460W。折損系數(shù)為3.7W門C，為Tc=150℃時PDmax將降至ow。

　　3．結溫TJ
　　
　　結溫的工作范圍是指MOSFET能正常工作時的結溫。對硅半導體來說結溫通常高于150℃。

　　半導體內部與外部的溫度差由熱阻決定。結與外殼間的熱阻為Rθjc，外殼與散熱片之間的熱阻為Rθcs，結（芯片）與周圍環(huán)境的熱阻為R衄^。對IRFP31N50LP6F來說Rθjc的最大值為0.26℃/W，即損耗1W功率溫度上升0.26℃。Rθcs。的標準值為0.24℃/W，RθjA．的最大值為40'C/W。

　　4．瞬變熱阻抗ZthjC
　　
　　MOSFET的電流容量是由結溫和管殼容許的發(fā)熱量決定的。在工作于脈沖狀態(tài)時會因瞬變熱阻抗引起結溫上升。上圖是瞬變熱阻抗的曲線，單個脈沖的曲線是脈沖寬度的函數(shù)，表示每1W損耗所引起的結溫上升量。工作于連續(xù)脈沖狀態(tài)時不能用該曲線。

　　圖l中的D=0,01~0.50的曲線是連續(xù)脈沖占空比D不同時的瞬變熱阻抗ZthjC。由圖可知瞬變熱阻抗隨脈沖寬度的增加而增大，結溫隨頻率的下降而增加。若D=50%、Tc=500C，內部損耗為PDM_20W，開關頻率為lOOkHz．則由圖l可知此時的Z蚶c=0.2℃/W。瞬變熱時的TJpeak=PDWZthjC+Tc=20Wx0.2+50℃=54℃。
　　
　　5．由In和VDS決定的功率容許范圍SOA
　　
　　MOSFET被燒壞大多數(shù)是因為工作時的工作區(qū)域超出了管子的安全工作區(qū)SOA。下圖是SOA的曲線，是在管殼濕度為25℃對測量結溫為150℃時的漏極電流和漏源間電壓VDS得到的。由圖可以得知流過的脈沖電流的寬度與VDS.ID間的對應關系。在直流參數(shù)中IRFP31N50LP6F容許的最大消耗功率PDmax=460W，是由vDs和ID的乘積決定的。