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      二極管的V-I特性

      作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點擊數(shù):    更新時間:2016/11/3
      半導體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對V–I 特性分三部分加以說明。

      二極管的V–I 特性曲線 
      二極管的V–I 特性曲線
      1.正向特性
      正向特性表現(xiàn)為圖中的①段。此時正向電壓較小,正向電流幾乎為零。此工作區(qū)域稱為死區(qū)。Vth稱為門坎電壓或死區(qū)電壓(該電壓硅管約為0.5V,鍺管為0.1V)。當正向電壓大于Vth時,內(nèi)電場削弱,電流因而迅速增長,呈現(xiàn)出很小的正向電阻。
      2.反向特性
      反向特性表現(xiàn)為如圖中的②段。由于是少數(shù)載流子形成的反向飽和電流,所以其數(shù)值很小。但溫度對它影響很大,當溫度升高時,反向電流將隨之增加。
      3.反向擊穿特性
      反向擊穿特性對應于圖中③段,當反向電壓增加到一定值時,反向電流急劇增加,二極管被反向擊穿。其原因和PN擊穿相同。

      Tags:二極管,V–I 特性  
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