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      單結晶體管BT32參數

      作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2017/6/15

      單結晶體管(UJT)又稱基極二極管,下面是早期國產單結晶體管BT32參數,它分為A~H共8個具體型號。

      BT32A參數

      分壓比(η):0.3~0.55
      基極間電阻(RBB):3~6kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32B參數

      分壓比(η):0.3~0.55
      基極間電阻(RBB):5~10kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32C參數

      分壓比(η):0.45~0.75
      基極間電阻(RBB):3~6kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32D參數

      分壓比(η):0.45~0.75
      基極間電阻(RBB):5~10kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32E參數

      分壓比(η):0.65~0.85
      基極間電阻(RBB):3~6kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32F參數

      分壓比(η):0.65~0.85
      基極間電阻(RBB):5~10kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32G參數

      分壓比(η):0.55~0.75
      基極間電阻(RBB):10~15kΩ
      E對B1間反向電壓:≥60V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      BT32H參數

      分壓比(η):0.55~0.75
      基極間電阻(RBB):5~10kΩ
      E對B1間反向電壓:≥40V
      反向電流:≤1μA
      峰值電流:≤2μA
      飽和壓降:≤4.5V
      調制電流:9~35mA
      耗散功率:300mW

      測試條件

      基極間電阻:UBB=20V;IE=0
      E對B1間反向電壓:IEO=1μA
      反向電流:UEBO=60V
      峰值電流:UBB=20V
      飽和壓降:UBB=20V;IE=50mA
      調制電流:UBB=20V;IE=50mA

      Tags:BT32,參數,基極二極管,單結晶體管  
      責任編輯:admin
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