一、工作原理 |
圖一為雙穩(wěn)態(tài)電路,它是由兩級反相器組成的正反饋電路,有兩個穩(wěn)定狀態(tài),或者是BG1導(dǎo)通、BG2截止;或者是BG1截止、BG2導(dǎo)通,由于它具有記憶功能,所以廣泛地用于計(jì)數(shù)電路、分頻電路和控制電路中, 原理,圖2(a)中,設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)為BG1導(dǎo)通,BG2截止,當(dāng)觸發(fā)脈沖方波從1端輸入,經(jīng)CpRp微分后,在A點(diǎn)產(chǎn)生正、負(fù)方向的尖脈沖,而只有正尖脈沖能通過二極管D1作用于導(dǎo)通管BG1的基極是。ic1減小使BG1退出飽和并進(jìn)入放大狀態(tài),于是它的集電極電位降低,經(jīng)電阻分壓器送到截止管BG2的基極,使BG2的基極電位下降,如果下降幅度足夠時,BG2將由截止進(jìn)入放大狀態(tài),因而產(chǎn)生下列正反饋過程(看下列反饋過程時,應(yīng)注意:在圖一的PNP電路中,晶體管的基極和集電極電位均為負(fù)值,所以uc1↓,表示BG1集電極電位降低,而uc1↑則表示BG1集電極電位升高,當(dāng)BG1基極電位降低時,則ic1↑,反之當(dāng)BG1基極電位升高時,ic1↓ |
ic1越來越小,ic2越來越大,最后到達(dá)BG1截止、BG2導(dǎo)通;接差觸發(fā)脈沖方波從2端輸入,并在t=t2時,有正尖脈沖作用于導(dǎo)通管BG2的基極,又經(jīng)過正反饋過程,使BG1導(dǎo)通,BG2截止。以后,在1、2端的觸發(fā)脈沖的輪流作用下,雙穩(wěn)電路的狀態(tài)也作用相應(yīng)的翻轉(zhuǎn),如圖一(b)所示。 |
![]() 圖一、雙穩(wěn)態(tài)電路 |
由上述過程可見:(1)雙穩(wěn)態(tài)電路的尖頂觸發(fā)脈沖極性由晶體管的管型決定:PNP管要求正極性脈沖觸發(fā),而NPN管卻要求負(fù)極性脈沖觸發(fā)。(2)每觸發(fā)一次,電路翻轉(zhuǎn)一次,因此,從翻轉(zhuǎn)次數(shù)的多少,就可以計(jì)算輸入脈沖的個數(shù),這就是雙穩(wěn)態(tài)電路能夠計(jì)算的原理。 雙穩(wěn)態(tài)電路的觸發(fā)電路形式有:單邊觸發(fā)、基極觸發(fā)、集電極觸發(fā)和控制觸發(fā)等。 圖二給出幾種實(shí)用的雙穩(wěn)態(tài)電路。電路(a)中D3、D4為限幅二極管,使輸出幅度限制在-6伏左右;電路(b)中的D5、D6是削去負(fù)尖脈沖;電路(C)中的ui1、ui2為單觸發(fā),ui為輸入觸發(fā)表一是上述電路的技術(shù)指標(biāo)。 |
![]() 圖二、幾種實(shí)用的雙穩(wěn)態(tài)電路 |
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二、雙穩(wěn)態(tài)電路的設(shè)計(jì) |
![]() 圖三、雙穩(wěn)態(tài)的設(shè)計(jì)電路 |
雙穩(wěn)態(tài)設(shè)計(jì)電路見表二 |
表二 | 雙穩(wěn)態(tài)電路的設(shè)計(jì)公式及計(jì)算實(shí)例 | |
要求 | (1)輸出幅度Um=6V,(2)上升時間,tr≤100nS (3)最高工作頻率fmax=1MHz | |
步驟 | 計(jì)算公式 | 計(jì)算實(shí)例 |
選擇晶體管 | 若工作頻率高時,應(yīng)選用高速硅開關(guān)管 若工作頻率低可選用低頻硅或鍺管 |
現(xiàn)選3DK,β=50 二極管選用2CK10 |
選擇電源電壓 | 圖3為設(shè)計(jì)電路,故應(yīng)確定ED、EC、EB | ∵采用箝位電路,故選ED≈Um ∴ED=6V,Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
計(jì)算Rc | Rc<Ec/ED tr/CL CL為集電極對地的電容(包括加速電容、分布電容、后級輸入電容) |
現(xiàn)設(shè)CL=180pF Rc<12/6 100×10 ![]() ![]() |
計(jì)算Rk、RB | 為保證可靠截止,應(yīng)滿足: Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK<Ubeo 為保證可靠飽和,應(yīng)滿足: β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中:Uces為飽和電壓,對硅管Uces≈(0.3~0.4)V Ubeo為截止管臨界電壓,Ubeo≈0.2V Uco為截止管的集電極電壓,應(yīng)取:Uco=ED+(箝位管正向壓降)IL為雙穩(wěn)電路灌入負(fù)截電流 |
現(xiàn)選Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2 ∴RB<61RK (A) 現(xiàn)設(shè)IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V 50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10 ∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若選RK=6.8k由(A)算得RB<415K,由(B)式算得RB>31K,故選RB=39K |
選擇CrRr | RrCr≤1/2fmax,通常Cr為幾十pF |
現(xiàn)選Cr=51pF ∴Rr≤1/6×10 ![]() ![]() 故選Rr=2.4k |
選擇加速電容CK | 對合金管CK為幾百pF對高頻外延管CK為幾十pF | 現(xiàn)選Ck=51pF 計(jì)算結(jié)果標(biāo)在圖三中 |