MOS管主要參數(shù)：

1.開(kāi)啟電壓V_T
　　·開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
　　·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，V_T約為3～6V；
　　·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的V_T值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻R_GS
　　·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
　　·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示
　　·MOS管的R_GS可以很容易地超過(guò)1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BV_DS
　　·在V_GS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使I_D開(kāi)始劇增時(shí)的V_DS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BV_DS
　　·I_D劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
　　（2）漏源極間的穿通擊穿
　　·有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加V_DS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的I_D

4. 柵源擊穿電壓BV_GS
　　·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流I_G由零開(kāi)始劇增時(shí)的V_GS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BV_GS。

5. 低頻跨導(dǎo)g_m
　　·在V_DS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)
　　·g_m反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
　　·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6. 導(dǎo)通電阻R_ON
　　·導(dǎo)通電阻R_ON說(shuō)明了V_DS對(duì)I_D的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
　　·在飽和區(qū)，I_D幾乎不隨V_DS改變，R_ON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
　　·由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在V_DS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻R_ON可用原點(diǎn)的R_ON來(lái)近似
　　·對(duì)一般的MOS管而言，R_ON的數(shù)值在幾百歐以?xún)?nèi)

7. 極間電容
　　·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容C_GS 、柵漏電容C_GD和漏源電容CDS
　　·C_GS和C_GD約為1～3pF
　　·C_DS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲系數(shù)NF
　　·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
　　·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
　　·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）
　　·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
　　·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
　　·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小