DS18B20的特點:

DS18B20 單線數字溫度傳感器，即“一線器件”，其具有獨特的優點：

( 1 )采用單總線的接口方式 與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現微處理器與 DS18B20 的雙向通訊。單總線具有經濟性好，抗干擾能力強，適合于惡劣環境的現場溫度測量，使用方便等優點，使用戶可輕松地組建傳感器網絡，為測量系統的構建引入全新概念。

( 2 )測量溫度范圍寬，測量精度高 DS18B20 的測量范圍為 -55 ℃ ~+ 125 ℃ ; 在 -10~+ 85°C范圍內，精度為 ± 0.5°C 。

( 3 )在使用中不需要任何外圍元件。

( 4 )持多點組網功能 多個 DS18B20 可以并聯在惟一的單線上，實現多點測溫。

( 5 )供電方式靈活 DS18B20 可以通過內部寄生電路從數據線上獲取電源。因此，當數據線上的時序滿足一定的要求時，可以不接外部電源，從而使系統結構更趨簡單，可靠性更高。

( 6 )測量參數可配置 DS18B20 的測量分辨率可通過程序設定 9~12 位。

( 7 ) 負壓特性電源極性接反時，溫度計不會因發熱而燒毀，但不能正常工作。

( 8 )掉電保護功能 DS18B20 內部含有 EEPROM ，在系統掉電以后，它仍可保存分辨率及報警溫度的設定值。

DS18B20 具有體積更小、適用電壓更寬、更經濟、可選更小的封裝方式，更寬的電壓適用范圍，適合于構建自己的經濟的測溫系統，因此也就被設計者們所青睞。

DS18B20內部結構：

主要由4部分組成：64 位ROM、溫度傳感器、非揮發的溫度報警觸發器TH和TL、配置寄存器。ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼，每個DS18B20的64位序列號均不相同。64位ROM的排的循環冗余校驗碼(CRC=X^8+X^5+X^4+1)。 ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。

DS18B20管腳排列：

1. GND為電源地;

2. DQ為數字信號輸入/輸出端;

3. VDD為外接供電電源輸入端(在寄生電源接線方式時接地)

DS18B20內部構成：

高速暫存存儲器由9個字節組成，當溫度轉換命令發布后，經轉換所得的溫度值以二字節補碼形式存放在高速暫存存儲器的第0和第1個字節。單片機可通過單線接口讀到該數據，讀取時低位在前，高位在后，對應的溫度計算：當符號位S=0時，直接將二進制位轉換為十進制;當S=1時，先將補碼變為原碼，再計算十進制值。

溫度的低八位數據 0

溫度的高八位數據 1

高溫閥值 2

低溫閥值 3

保留 4

保留 5

計數剩余值 6

每度計數值 7

CRC 校驗 8

DS18B20中的溫度傳感器完成對溫度的測量，用16位二進制形式提供，形式表達，其中S為符號位。

例如：

+125℃的數字輸出07D0H

(正溫度直接把16進制數轉成10進制即得到溫度值 )

-55℃的數字輸出為 FC90H。

(負溫度把得到的16進制數取反后加1 再轉成10進制數)

DS18B20的工作時序：

初始化時序

 

主機首先發出一個480-960微秒的低電平脈沖，然后釋放總線變為高電平，并在隨后的480微秒時間內對總線進行檢測，如果有低電平出現說明總線上有器件已做出應答。若無低電平出現一直都是高電平說明總線上無器件應答。

做為從器件的DS18B20在一上電后就一直在檢測總線上是否有480-960微秒的低電平出現，如果有，在總線轉為高電平后等待15-60微秒后將總線電平拉低60-240微秒做出響應存在脈沖，告訴主機本器件已做好準備。若沒有檢測到就一直在檢測等待。

寫操作

寫周期最少為60微秒，最長不超過120微秒。寫周期一開始做為主機先把總線拉低1微秒表示寫周期開始。隨后若主機想寫0，則繼續拉低電平最少60微秒直至寫周期結束，然后釋放總線為高電平。若主機想寫1，在一開始拉低總線電平1微秒后就釋放總線為高電平，一直到寫周期結束。而做為從機的DS18B20則在檢測到總線被拉底后等待15微秒然后從15us到45us開始對總線采樣，在采樣期內總線為高電平則為1，若采樣期內總線為低電平則為0。

讀操作

對于讀數據操作時序也分為讀0時序和讀1時序兩個過程。讀時隙是從主機把單總線拉低之后，在1微秒之后就得釋放單總線為高電平，以讓DS18B20把數據傳輸到單總線上。DS18B20在檢測到總線被拉低1微秒后，便開始送出數據，若是要送出0就把總線拉為低電平直到讀周期結束。若要送出1則釋放總線為高電平。主機在一開始拉低總線1微秒后釋放總線，然后在包括前面的拉低總線電平1微秒在內的15微秒時間內完成對總線進行采樣檢測，采樣期內總線為低電平則確認為0。采樣期內總線為高電平則確認為1。完成一個讀時序過程，至少需要60us才能完成

DS18B20 單線通信：

DS18B20 單線通信功能是分時完成的，他有嚴格的時隙概念，如果出現序列混亂， 1-WIRE 器件將不響應主機，因此讀寫時序很重要。系統對 DS18B20 的各種操作必須按協議進行。根據 DS18B20 的協議規定，微控制器控制 DS18B20 完成溫度的轉換必須經過以下 3個步驟 ：

(1)每次讀寫前對 DS18B20 進行復位初始化。復位要求主 CPU 將數據線下拉 500us ，然后釋放， DS18B20 收到信號后等待 16us~60us 左右，然后發出60us~240us 的存在低脈沖，主 CPU 收到此信號后表示復位成功。

(2)發送一條 ROM 指令

(3)發送存儲器指令

 

具體操作舉例：

現在我們要做的是讓DS18B20進行一次溫度的轉換，那具體的操作就是：

1、主機先作個復位操作，

2、主機再寫跳過ROM的操作(CCH)命令，

3、然后主機接著寫個轉換溫度的操作命令，后面釋放總線至少一秒，讓DS18B20完成轉換的操作。在這里要注意的是每個命令字節在寫的時候都是低字節先寫，例如CCH的二進制為11001100，在寫到總線上時要從低位開始寫，寫的順序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”。整個操作的總線狀態如下圖。

 

讀取RAM內的溫度數據。同樣，這個操作也要接照三個步驟。

1、主機發出復位操作并接收DS18B20的應答(存在)脈沖。

2、主機發出跳過對ROM操作的命令(CCH)。

3、主機發出讀取RAM的命令(BEH)，隨后主機依次讀取DS18B20發出的從第0一第8，共九個字節的數據。如果只想讀取溫度數據，那在讀完第0和第1個數據后就不再理會后面DS18B20發出的數據即可。同樣讀取數據也是低位在前的。整個操作的總線狀態如下圖：

C語言代碼

sbit DQ=P3^3;

uchar t; //設置全局變量，專門用于延時程序

bit Init_DS18B20(void)

{

bit flag;

DQ=1;

_nop_(); //??????????????? for(t=0;t<2;t++);

DQ=0;

for(t=0;t<200;t++);

DQ=1;

for(t=0;t<15;t++);//????????????????? for(t=0;t<10;t++);

flag=DQ;

for(t=0;t<200;t++);

return flag;

}

uchar ReadOneChar(void)

{

uchar i=0;

uchar dat;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=1;

_nop_();

DQ=0;

_nop_();

DQ=1; //人為拉高，為單片機檢測DS18B20的輸出電平做準備

for(t=0;t<3;t++);//延時月9us ????????????????????????? for(t=0;t<2;t++);

dat>>=1;

if(DQ==1)

{

dat|=0x80;

}

else

dat|=0x00;

for(t=0;t<1;t++);//延時3us，兩個個讀時序間至少需要1us的恢復期 ??????????for(t=0;t<8;t++);

}

return dat;

}

void WriteOneChar(uchar dat)

{

uchar i=0;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=1;

_nop_();

DQ=0;

_nop_();// ??????????????????????????????????????????????

DQ=dat&0x01;

for(t=0;t<15;t++);//延時約45us，DS18B20在15~60us對數據采樣 ??????????????? for(t=0;t<10;t++);

DQ=1; //釋放數據線

for(t=0;t<1;t++); //延時3us，兩個寫時序間至少需要1us的恢復期

dat>>=1;

}

for(t=0;t<4;t++);

}

void ReadyReadTemp(void)

{

Init_DS18B20();

WriteOneChar(0xcc);

WriteOneChar(0x44);

delaynms(1000); // ?????????????????????????? delaynms(200);

Init_DS18B20();

WriteOneChar(0xcc);

WriteOneChar(0xbe);

}