(1)IGBT的基本結(jié)構(gòu)絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型(PNP或NPN）管復(fù)合后的一種新型復(fù)合型器件。

其圖形符號(hào)如圖11-1所示。IGBT基本結(jié)構(gòu)如圖11-1 ( a）所示，是由柵極G、發(fā)射極C、集電極E組成的三端口電壓控制器件，常用N溝道IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化等器件，常用N溝道IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化等效電路如圖11-1 (b）所示。IGBT的封裝與普通雙極型大功率三極管相同，有多種封裝形式，如圖11-2所示。

(2)IGBT的主要參數(shù)

①最大集電極電流Icm:表征IGBT的電流容量，分為直流條件下的I和1ms脈沖條件下的Icp

②集電極-發(fā)射極最高電壓UCES:表征IGBT集電極-發(fā)射極的耐壓能力。目前IGBT耐壓等級(jí)有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。

③柵極-發(fā)射極擊穿電壓UGEM:表征IGBT柵極-發(fā)射極之間能承受的最高電壓，其值一般為±20V。

④柵極-發(fā)射極開啟電壓Uge( th):指IGBT器件在一定的集電極-發(fā)射放電壓 Uce下，流過(guò)一定的集電極電流Ic時(shí)的最小開柵電壓。當(dāng)柵源電壓等于開啟電壓Uge( th ).時(shí)，IGBT開始導(dǎo)通。

⑤輸入電容Cies:指IGBT在一定的集電極-發(fā)射極電壓Uce和柵極-發(fā)射極電壓Uge=0下，柵極-發(fā)射極之間的電容，表征柵極驅(qū)動(dòng)瞬態(tài)電流特征。

⑥集電極最大功耗Pcm:表征IGBT最大允許功能。