會(huì)員中心
會(huì)員注冊(cè)① 管型的判別
一般，管型是NPN還是PNP應(yīng)從管殼上標(biāo)注的型號(hào)來辨別。依照部頒標(biāo)準(zhǔn)，三極管型號(hào)的第二位(字母)，A、C表示PNP管，B、D表示NPN管，例如：
3AX 為PNP型低頻小功率管 3BX 為NPN型低頻小功率管
3CG 為PNP型高頻小功率管 3DG 為NPN型高頻小功率管
3AD 為PNP型低頻大功率管 3DD 為NPN型低頻大功率管
3CA 為PNP型高頻大功率管 3DA 為NPN型高頻大功率管
此外有國(guó)際流行的9011 ~ 9018系列高頻小功率管，除9012和9015為PNP管外，其余均為NPN型管。
|
② 管極的判別 常用中小功率三極管有金屬圓殼和塑料封裝(半柱型)等外型，圖T305介紹了三種典型的外形和管極排列方式。 |
 |
2、用萬(wàn)用表電阻檔判別
三極管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)，可用萬(wàn)用表電阻檔分辨e、b、c三個(gè)極。在型號(hào)標(biāo)注模糊的情況下，也可用此法判別管型。
三極管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)，可用萬(wàn)用表電阻檔分辨e、b、c三個(gè)極。在型號(hào)標(biāo)注模糊的情況下，也可用此法判別管型。
|
① 基極的判別 判別管極時(shí)應(yīng)首先確認(rèn)基極。對(duì)于NPN管，用黑表筆接假定的基極，用紅表筆分別接觸另外兩個(gè)極，若測(cè)得電阻都小，約為幾百歐~幾千歐；而將黑、紅兩表筆對(duì)調(diào)，測(cè)得電阻均較大，在幾百千歐以上，此時(shí)黑表筆接的就是基極。PNP管，情況正相反，測(cè)量時(shí)兩個(gè)PN結(jié)都正偏的情況下，紅表筆接基極。 實(shí)際上，小功率管的基極一般排列在三個(gè)管腳的中間，可用上述方法，分別將黑、紅表筆接基極，既可測(cè)定三極管的兩個(gè)PN結(jié)是否完好(與二極管PN結(jié)的測(cè)量方法一樣)，又可確認(rèn)管型。 |
 |
② 集電極和發(fā)射極的判別
確定基極后，假設(shè)余下管腳之一為集電極c，另一為發(fā)射極e，用手指分別捏住c極與b極(即用手指代替基極電阻Rb)。同時(shí)，將萬(wàn)用表兩表筆分別與c、e接觸，若被測(cè)管為NPN，則用黑表筆接觸c極、用紅表筆接e極(PNP管相反)，觀察指針偏轉(zhuǎn)角度；然后再設(shè)另一管腳為c極，重復(fù)以上過程，比較兩次測(cè)量指針的偏轉(zhuǎn)角度，大的一次表明IC大，管子處于放大狀態(tài)，相應(yīng)假設(shè)的c、e極正確。
3．三極管性能的簡(jiǎn)易測(cè)量
確定基極后，假設(shè)余下管腳之一為集電極c，另一為發(fā)射極e，用手指分別捏住c極與b極(即用手指代替基極電阻Rb)。同時(shí)，將萬(wàn)用表兩表筆分別與c、e接觸，若被測(cè)管為NPN，則用黑表筆接觸c極、用紅表筆接e極(PNP管相反)，觀察指針偏轉(zhuǎn)角度；然后再設(shè)另一管腳為c極，重復(fù)以上過程，比較兩次測(cè)量指針的偏轉(zhuǎn)角度，大的一次表明IC大，管子處于放大狀態(tài)，相應(yīng)假設(shè)的c、e極正確。
3．三極管性能的簡(jiǎn)易測(cè)量
(1) 用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)ICEO和  基極開路，萬(wàn)用表黑表筆接NPN管的集電極c、紅表筆接發(fā)射極e(PNP管相反)，此時(shí)c、e間電阻值大則表明ICEO小，電阻值小則表明ICEO大。 用手指代替基極電阻Rb，用上法測(cè)c、e間電阻，若阻值比基極開路時(shí)小得多則表明 b值大。 |
 |
(2) 用萬(wàn)用表hFE檔測(cè) b
有的萬(wàn)用表有hFE檔，按表上規(guī)定的極型插入三極管即可測(cè)得電流放大系數(shù) b，若 b 很小或?yàn)榱悖砻魅龢O管己損壞，可用電阻檔分別測(cè)兩個(gè)PN結(jié)，確認(rèn)是否有擊穿或斷路。
4．半導(dǎo)體三極管的選用
有的萬(wàn)用表有hFE檔，按表上規(guī)定的極型插入三極管即可測(cè)得電流放大系數(shù) b，若 b 很小或?yàn)榱悖砻魅龢O管己損壞，可用電阻檔分別測(cè)兩個(gè)PN結(jié)，確認(rèn)是否有擊穿或斷路。
4．半導(dǎo)體三極管的選用
|
選用晶體管一要符合設(shè)備及電路的要求，二要符合節(jié)約的原則。根據(jù)用途的不同，一般應(yīng)考慮以下幾個(gè)因素：工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大系數(shù)、反向擊穿電壓、穩(wěn)定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關(guān)系，在選管時(shí)應(yīng)抓住主要矛盾，兼顧次要因素。 低頻管的特征頻率fT一般在2.5MHz以下，而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時(shí)應(yīng)使fT為工作頻率的3~10倍。原則上講，高頻管可以代換低頻管，但是高頻管的功率一般都比較小，動(dòng)態(tài)范圍窄，在代換時(shí)應(yīng)注意功率條件。 |
 |
|
一般希望b選大一些，但也不是越大越好。b太高了容易引起自激振蕩，何況一般b高的管子工作多不穩(wěn)定，受溫度影響大。通常b多選40~100之間，但低噪聲高b值的管子(如1815、9011~9015等)，b值達(dá)數(shù)百時(shí)溫度穩(wěn)定性仍較好。另外，對(duì)整個(gè)電路來說還應(yīng)該從各級(jí)的配合來選擇b。例如前級(jí)用b高的，后級(jí)就可以用b較低的管子；反之，前級(jí)用 b 較低的，后級(jí)就可以用b較高的管子。 |
 |
集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓UCEO應(yīng)選得大于電源電壓。穿透電流越小，對(duì)溫度的穩(wěn)定性越好。普通硅管的穩(wěn)定性比鍺管好得多，但普通硅管的飽和壓降較鍺管為大，在某些電路中會(huì)影響電路的性能，應(yīng)根據(jù)電路的具體情況選用，選用晶體管的耗散功率時(shí)應(yīng)根據(jù)不同電路的要求留有一定的余量。 對(duì)高頻放大、中頻放大、振蕩器等電路用的晶體管，應(yīng)選用特征頻率fT高、極間電容較小的晶體管，以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩(wěn)定性。
返回頂部
刷新頁(yè)面
下到頁(yè)底