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二極管的V-I特性

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2016-11-3
半導(dǎo)體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對(duì)V–I 特性分三部分加以說明。

二極管的V–I 特性曲線 
二極管的V–I 特性曲線
1.正向特性
正向特性表現(xiàn)為圖中的①段。此時(shí)正向電壓較小,正向電流幾乎為零。此工作區(qū)域稱為死區(qū)。Vth稱為門坎電壓或死區(qū)電壓(該電壓硅管約為0.5V,鍺管為0.1V)。當(dāng)正向電壓大于Vth時(shí),內(nèi)電場(chǎng)削弱,電流因而迅速增長(zhǎng),呈現(xiàn)出很小的正向電阻。
2.反向特性
反向特性表現(xiàn)為如圖中的②段。由于是少數(shù)載流子形成的反向飽和電流,所以其數(shù)值很小。但溫度對(duì)它影響很大,當(dāng)溫度升高時(shí),反向電流將隨之增加。
3.反向擊穿特性
反向擊穿特性對(duì)應(yīng)于圖中③段,當(dāng)反向電壓增加到一定值時(shí),反向電流急劇增加,二極管被反向擊穿。其原因和PN擊穿相同。

Tags:二極管,V–I 特性  
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