什么是mos管

　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

　　場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

　mos管優(yōu)勢

　　1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

　　2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

　　3.可以用作可變電阻。

　　4.可以方便地用作恒流源。

　　5.可以用作電子開關(guān)。

　　6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。

　　MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解

　　1、結(jié)構(gòu)和符號（以N溝道增強型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

　　其他MOS管符號

　　2、工作原理（以N溝道增強型為例）

　　（1）VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結(jié)反偏，所以不存在導電溝道。

　　VGS=0，ID=0

　　VGS必須大于0

　　管子才能工作。

　　（2）VGS》0時，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個垂直于半導體表面的電場，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當VGS達到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導電溝道。

　　VGS》0→g吸引電子→反型層→導電溝道

　　VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑

　　（3）VGS≥VT時而VDS較小時：

　　VDS↑→ID↑

　　VT：開啟電壓，在VDS作

　　用下開始導電時的VGS°

　　VT=VGS—VDS

　　（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。

　　VDS↑→ID不變

　　mos管三個極分別是什么及判定方法

　　mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導通。

　　1.判斷柵極G

　　MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。

　　將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。

　　2.判斷源極S、漏極D

　　將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。

　　3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

　　在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　測試步驟：

　　MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。

　　其步驟如下：

　　假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。

　　1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好

　　2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。

　　3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。

　　4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因為電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。

　　MOS管（場效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域

　　1：工業(yè)領(lǐng)域、步進馬達驅(qū)動、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源

　　2：新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機

　　3：交通運輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車

　　4：綠色照明領(lǐng)域、CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器

　　MOS管降壓電路

　　圖中Q27是N溝道MOS管，U22A的1腳輸出高電平時Q27導通，將VCC—DDR內(nèi)存電壓降壓，得到1.2V—HT總線供電，而U22A的1腳輸出低電平時Q27截止，1.2V_HT總線電壓為0V。